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首页 全部分类 DMP2039UFDE-7 vs DMN65D8LFB-7B

DMP2039UFDE-7备选型号: DMN65D8LFB-7B

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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Diodes Incorporated
    DMP2039UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
    16 Weeks
    6-UDFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    6.7A Ta
    2012
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    27mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    15.1 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 6.4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2530pF @ 15V
    48.7nC @ 8V
    23.5ns
    25V
    ±8V
    80.5 ns
    6.7A
    8V
    5.4A
    -25V
    2.05mm
    2.05mm
    580μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN65D8LFB-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
    23 Weeks
    3-UFDFN
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    260mA Ta
    2015
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    260
    40
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    840mW
    DRAIN
    3.27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 115mA, 10V
    2V @ 250μA
    25pF @ 25V
    -
    3.15ns
    -
    ±20V
    6.29 ns
    400mA
    20V
    0.26A
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    3
    Single
    4Ohm
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