DMS2220LFDB-7
DMS2220LFDB-7

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Diodes Incorporated DMS2220LFDB-7

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型号

DMS2220LFDB-7

utmel 编号

671-DMS2220LFDB-7

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

DFN EP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN

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DMS2220LFDB-7
DMS2220LFDB-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN

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DMS2220LFDB-7详情

Diodes Incorporated DMS2220LFDB-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DFN EP

  • 引脚数

    6

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 最大功率耗散

    1.4W

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    6

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.4W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    3.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 输入电容

    632pF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    95mOhm

  • 最大rds

    95 mΩ

  • 高度

    560μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    2mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & DMS2220LFDB-7相似的参数规格。

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DMS2220LFDB-7拓展信息

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