DMP2039UFDE4-7备选型号: DMN65D8LFB-7B
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数量
- 元素配置
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN16 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerXDFN6SILICON7.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e4yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYDUAL26040S-PDSO-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET2.4WDRAIN5 nsP-ChannelSWITCHING26m Ω @ 6.4A, 4.5V1V @ 250μA2530pF @ 15V28.2nC @ 4.5V15.1ns25V±8V137.6 ns7.3A8V6A25V350μm2.05mm2.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN23 Weeks表面贴装表面贴装3-UFDFN3SILICON260mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYBOTTOM26040--1增强型MOSFET840mWDRAIN3.27 nsN-ChannelSWITCHING3 Ω @ 115mA, 10V2V @ 250μA25pF @ 25V-3.15ns-±20V6.29 ns400mA20V0.26A----无SVHC无ROHS3 Compliant无铅3Single4Ohm60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | 对比 |
![]() | DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | 对比 |
![]() | DMS2220LFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DFN EP | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN | 对比 |





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