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DMP2104V-7备选型号: DMN2400UV-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 接通延迟时间
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
MOSFET -20V -860mATin表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-66663.005049mgSILICON2.1A Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012007e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99150mOhmHIGH RELIABILITYDUALFLAT260401Single增强型MOSFET170mWP-ChannelSWITCHING150m Ω @ 950mA, 4.5V320pF @ 16V20V±12V-950mA-1V12V-20V600μm1.6mm1.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------- MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563Tin表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-66663.005049mgSILICON2--55°C~150°C TJDigi-Reel®-2017e3-活跃1 (Unlimited)6EAR99500mOhmHIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD-FLAT---Dual增强型MOSFET530mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING480m Ω @ 200mA, 5V36pF @ 16V20V-1.33A900mV12V-600μm1.7mm1.25mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅14 Weeks530mW64.06 ns900mV @ 250μA0.5nC @ 4.5V7.28ns10.54 nsMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2400UV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 | 对比 |
| DMG1024UV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | 对比 |
 | SCH1430-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-563, SOT-666 | ON SEMICONDUCTOR SCH1430-TL-W MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 20 V, 0.093 ohm, 4.5 V, 1.3 V | 对比 |
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