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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.218497
10
¥1.149525
100
¥1.084457
500
¥1.023073
1000
¥0.965164
Diodes Incorporated DMP2104V-7
- 收藏
- 对比
DMP2104V-7
671-DMP2104V-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-563, SOT-666
大陆
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MOSFET -20V -860mA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2104V-7详情
Diodes Incorporated DMP2104V-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
质量
3.005049mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)
850mW Ta
Number of Elements
1
已出版
2007
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
150mOhm
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
170mW
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 950mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
320pF @ 16V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
-950mA
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
-20V
宽度
1.2mm
长度
1.6mm
高度
600μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
DMP2104V-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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