DMP210DUDJ-7备选型号: NTUD3171PZT5G
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 资历状况
- 无铅
- Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-963 T/R19 Weeks表面贴装表面贴装SOT-9636SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD330mWFLAT260406Dual增强型MOSFET330mW7.7 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING5.5 Ω @ 100mA, 4.5V1.15V @ 250μA27.44pF @ 15V19.3ns20V31.5 ns200mA8V0.14A5Ohm-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC无ROHS3 Compliant---
- MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963-表面贴装表面贴装SOT-9636SILICON200mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)-125mWFLAT未说明未说明6Dual增强型MOSFET200mW-2 P-Channel (Dual)SWITCHING5 Ω @ 100mA, 4.5V1V @ 250μA13.5pF @ 15V46ns20V145 ns250mA8V0.2A5Ohm-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门--符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)不合格无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN26D0UDJ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-963 | MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 | 对比 |
![]() | DMN2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-963 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT963,10K | 对比 |
| NTUD3171PZT5G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-963 | MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963 | 对比 |



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