ON Semiconductor NTUD3171PZT5G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-963

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

196 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

125mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13.5pF @ 15V

上升时间

46ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

145 ns

连续放电电流(ID)

250mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅