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首页 全部分类 DMP2160UFDB-7 vs DMN2050LFDB-7

DMP2160UFDB-7备选型号: DMN2050LFDB-7

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Diodes Incorporated
    DMP2160UFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    1.4W
    260
    40
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    1.4W
    11.51 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    70m Ω @ 2.8A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    536pF @ 10V
    6.5nC @ 4.5V
    12.09ns
    20V
    12.09 ns
    3.8A
    12V
    0.07Ohm
    -20V
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2050LFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    730mW
    260
    30
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    45m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    389pF @ 10V
    12nC @ 10V
    8ns
    20V
    8 ns
    3.3A
    12V
    0.045Ohm
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    AEC-Q101
    S-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    4.5A
    20V
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