Diodes Incorporated DMS2120LFWB-7

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

引脚数

8

质量

37.393021mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 2.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

632pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

2.9A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.095Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

高度

780μm

长度

3mm

宽度

2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅