DMP21D2UFA-7B备选型号: FDY2000PZ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电容量
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 最大功率耗散
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-315 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON330mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)2EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)49pF无铅未说明未说明R-PSSO-N21Single增强型MOSFETDRAIN10.3 nsP-ChannelSWITCHING1 Ω @ 200mA, 4.5V1V @ 250μA49pF @ 15V0.8nC @ 4.5V37.3ns20V±8V163 ns330mA8V1Ohm-20VROHS3 Compliant-----------------
- MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)-FLAT----Dual增强型MOSFET-6 ns2 P-Channel (Dual)-1.2 Ω @ 350mA, 4.5V1.5V @ 250μA100pF @ 10V1.4nC @ 4.5V13ns20V-13 ns350mA8V--20VROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)32mgPowerTrench®yes625mW630mW446mW-1.03V0.35AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门600μm1.7mm1.2mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-963 | MOSFET N/P-CH 20V SOT963 | 对比 |
![]() | FDY2000PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET | 对比 |
![]() | DMN2990UFZ-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606 | 对比 |






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