Diodes Incorporated DMC2990UDJ-7
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DMC2990UDJ-7
671-DMC2990UDJ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-963
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 20V SOT963
--最小包装量--
DMC2990UDJ-7详情
Diodes Incorporated DMC2990UDJ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-963
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
450mA 310mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
31.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
基本部件号
DMC2990
参考标准
AEC-Q101
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
5.8 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
990m Ω @ 100mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
27.6pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.5nC @ 4.5V
上升时间
5.7ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
16.4 ns
连续放电电流(ID)
310mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.31A
漏极-源极导通最大电阻
0.99Ohm
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
450μm
长度
1.05mm
宽度
850μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMC2990UDJ-7拓展信息
Diodes Incorporated
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