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首页 全部分类 DMP2200UDW-7 vs BSD816SNH6327XTSA1

DMP2200UDW-7备选型号: BSD816SNH6327XTSA1

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  • 终止次数
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 系列
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Diodes Incorporated
    DMP2200UDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
    15 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    450mW
    鸥翼
    260
    30
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    9.8 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    260m Ω @ 880mA, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    184pF @ 10V
    2.1nC @ 4.5V
    88ns
    20V
    45 ns
    900mA
    8V
    0.9A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD816SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    1.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    5.3 ns
    N-Channel
    -
    160m Ω @ 1.4A, 2.5V
    0.95V @ 3.7μA
    180pF @ 10V
    0.6nC @ 2.5V
    9ns
    -
    -
    1.4A
    8V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    OptiMOS™
    no
    Single
    ±8V
    20V
    800μm
    2mm
    1.25mm
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