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首页 全部分类 DMP2200UDW-7 vs NTJD2152PT1G

DMP2200UDW-7备选型号: NTJD2152PT1G

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP2200UDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
    15 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    450mW
    鸥翼
    260
    30
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    9.8 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    260m Ω @ 880mA, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    184pF @ 10V
    2.1nC @ 4.5V
    88ns
    20V
    45 ns
    900mA
    8V
    0.9A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTJD2152PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    270mW
    鸥翼
    260
    40
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    300m Ω @ 570mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    225pF @ 8V
    4nC @ 4.5V
    23ns
    -
    23 ns
    775mA
    8V
    0.775A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)
    yes
    Tin (Sn)
    -8V
    -775mA
    NTJD2152P
    6
    不合格
    Dual
    270mW
    0.3Ohm
    -8V
    40 pF
    无铅
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