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首页 全部分类 DMP31D0UFB4-7B vs FDME1023PZT

DMP31D0UFB4-7B备选型号: FDME1023PZT

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Diodes Incorporated
    DMP31D0UFB4-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    540mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.98 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 400mA, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    76pF @ 15V
    0.9nC @ 4.5V
    5.85ns
    30V
    ±8V
    16.6 ns
    760mA
    8V
    0.54A
    1Ohm
    -30V
    350μm
    1.08mm
    675μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDME1023PZT
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ESD PROTECTION
    -
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.7 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    142m Ω @ 2.3A, 4.5V
    1V @ 250μA
    405pF @ 10V
    7.7nC @ 4.5V
    4.8ns
    20V
    -
    16 ns
    2.6A
    8V
    -
    -
    -20V
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    25.2mg
    PowerTrench®
    1.4W
    1.3W
    600mW
    -600mV
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -600 mV
    75 pF
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