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首页 全部分类 DMP4050SSS-13 vs DMC4050SSD-13

DMP4050SSS-13备选型号: DMC4050SSD-13

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  • 终端形式
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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Diodes Incorporated
    DMP4050SSS-13
    Diodes Incorporated
    DMP4050SSS Series 40 V 4.4 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    4.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    1.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    674pF @ 20V
    13.9nC @ 10V
    3.1ns
    40V
    ±20V
    12.6 ns
    6A
    20V
    4.4A
    0.05Ohm
    -40V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMC4050SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    5.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    2
    -
    增强型MOSFET
    2.14W
    8.08 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 3A, 10V
    1.8V @ 250μA
    1790.8pF @ 20V
    37.56nC @ 10V
    15.14ns
    40V
    -
    5.27 ns
    5.8A
    20V
    -
    0.06Ohm
    -
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.14W
    DMC4050
    1.8W
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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