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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.159521
10
¥10.527847
100
¥9.931932
500
¥9.369747
1000
¥8.839388
Infineon Technologies IRF7421D1TRPBF
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- 对比
IRF7421D1TRPBF
1211-IRF7421D1TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF7421D1TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7421D1TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FETKY™
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
35MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
5.8A
功率耗散
2W
接通延迟时间
6.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35mOhm @ 4.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
510pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
27ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
5.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
510pF
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
漏源电阻
60mOhm
最大rds
35 mΩ
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7421D1TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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