DMPH6050SK3Q-13备选型号: DMN6040SK3-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET P-CH 60V 7.2A TO2528 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON7.2A Ta 23.6A Tc3V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING50m Ω @ 7A, 10V1377pF @ 30V25nC @ 10V60V±20V23.6A7.2A0.07Ohm40A60V31 mJnot_compliantROHS3 Compliant-------------
- MOSFET N CH 60V 20A TO25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON20A Tc3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY-鸥翼---R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 20A, 10V1287pF @ 25V22.4nC @ 10V60V±20V20A-0.04Ohm-60V-无SVHCROHS3 Compliant33.949996g1Single6.6 ns8.1ns4 ns20V2.39mm6.7mm6.2mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | 对比 |
![]() | HUF76419D3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | 对比 |
![]() | IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 | 对比 |






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