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首页 全部分类 DMS2085LSD-13 vs NTMSD3P102R2

DMS2085LSD-13备选型号: NTMSD3P102R2

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMS2085LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    3.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    1
    Single
    3.3 ns
    P-Channel
    85m Ω @ 3.05A, 10V
    2.2V @ 250μA
    353pF @ 15V
    7.8nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    6.8 ns
    3.3A
    20V
    20V
    Schottky Diode (Isolated)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMSD3P102R2
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    -
    2.34A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    240
    30
    -
    -
    -
    P-Channel
    85m Ω @ 3.05A, 10V
    2.5V @ 250μA
    750pF @ 16V
    25nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    45 ns
    2.34A
    20V
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    Non-RoHS Compliant
    SILICON
    FETKY™
    8
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    -3.05A
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    SWITCHING
    0.085Ohm
    135 pF
    含铅
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