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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.487392
10
¥3.289988
100
¥3.103765
500
¥2.92808
1000
¥2.762342
Diodes Incorporated DMS2085LSD-13
- 收藏
- 对比
DMS2085LSD-13
671-DMS2085LSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr
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¥
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DMS2085LSD-13详情
Diodes Incorporated DMS2085LSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1.1W Ta
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
3.3 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
85m Ω @ 3.05A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
353pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.8nC @ 10V
上升时间
3ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.8 ns
连续放电电流(ID)
3.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMS2085LSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
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