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DMS2220LFDB-7备选型号: DMG5802LFX-7
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- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 终端形式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 无铅
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN17 Weeks表面贴装DFN EP61Tape & Reel (TR)2012e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)150°C-55°CHIGH RELIABILITY1.4WDUAL2604061Single增强型MOSFET1.4WDRAINSWITCHING20VP-CHANNEL3.5A12V632pFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR95mOhm95 mΩ560μm2mm2mm无SVHC无ROHS3 Compliant----------------
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN16 Weeks表面贴装6-VFDFN Exposed Pad632.18 nsTape & Reel (TR)2013e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)--HIGH RELIABILITY980mW-260406--增强型MOSFET980mW-SWITCHING24V-6.5A12V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR--800μm5.1mm2.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant表面贴装SILICON-55°C~150°C TJFLAT3.69 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain15m Ω @ 6.5A, 4.5V1.5V @ 250μA1066.4pF @ 15V31.3nC @ 10V13.43ns22.45 ns0.015Ohm24V逻辑电平门无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | 对比 |
| DMG5802LFX-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-VFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN | 对比 |
 | DMP2039UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN | 对比 |
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