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首页 全部分类 DMS2220LFDB-7 vs DMN1019UFDE-7

DMS2220LFDB-7备选型号: DMN1019UFDE-7

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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • JESD-30代码
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMS2220LFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
    17 Weeks
    DFN EP
    表面贴装
    6
    1
    2012
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    150°C
    -55°C
    HIGH RELIABILITY
    1.4W
    DUAL
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.4W
    DRAIN
    SWITCHING
    20V
    P-CHANNEL
    3.5A
    12V
    632pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    95mOhm
    95 mΩ
    2mm
    2mm
    560μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN1019UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
    14 Weeks
    6-UDFN Exposed Pad
    表面贴装
    6
    11A Ta
    2017
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    HIGH RELIABILITY
    -
    DUAL
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    SWITCHING
    12V
    -
    11A
    8V
    -
    -
    -
    -
    2.05mm
    2.05mm
    580μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    Gold
    表面贴装
    SILICON
    800mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    R-PDSO-N3
    7.6 ns
    N-Channel
    10m Ω @ 9.7A, 4.5V
    2425pF @ 10V
    50.6nC @ 8V
    22.2ns
    ±8V
    16.8 ns
    无铅
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