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首页 全部分类 DMT3006LFDF-13 vs IRF8113GPBF

DMT3006LFDF-13备选型号: IRF8113GPBF

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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMT3006LFDF-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    14.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    7m Ω @ 9A, 10V
    3V @ 250μA
    1320pF @ 15V
    22.6nC @ 10V
    30V
    ±20V
    14.1A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8113GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    17.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    5.6mOhm @ 17.2A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2910pF @ 15V
    36nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    17.2A
    符合RoHS标准
    8
    8-SO
    150°C
    -55°C
    2.5W
    13 ns
    8.9ns
    3.5 ns
    20V
    30V
    2.91nF
    7.4mOhm
    5.6 mΩ
    2.2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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