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首页 全部分类 DMT3009LDT-7 vs IRFH7914TRPBF

DMT3009LDT-7备选型号: IRFH7914TRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT3009LDT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.2W
    未说明
    未说明
    1.2W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    11.1m Ω @ 14.4A, 10V
    3V @ 250μA
    1500pF @ 15V
    20nC @ 15V
    30V
    30A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH7914TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 15A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    260
    30
    -
    N-Channel
    8.7m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1160pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    -
    35A
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    SILICON
    15A Ta 35A Tc
    HEXFET®
    3
    SMD/SMT
    8.7MOhm
    DUAL
    IRFH7914
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    11ns
    ±20V
    4.6 ns
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    1.8 V
    1.1684mm
    5.2324mm
    6.1468mm
    无SVHC
    无
    无铅
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