DMT3009LDT-7备选型号: IRFH7921TRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- 终端
- 电阻
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-823 Weeks表面贴装表面贴装8-VDFN Exposed Pad-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4yes活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.2W未说明未说明1.2W2 N-Channel (Dual) Asymmetrical11.1m Ω @ 14.4A, 10V3V @ 250μA1500pF @ 15V20nC @ 15V30V30AStandardROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56-表面贴装表面贴装8-PowerVDFN-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008--Obsolete1 (Unlimited)EAR99-----N-Channel8.5m Ω @ 15A, 10V2.35V @ 25μA1210pF @ 15V14nC @ 4.5V-15mA-ROHS3 Compliant815A Ta 34A TcHEXFET®SMD/SMT8.5MOhmSingle增强型MOSFET3.1W12 ns7.6ns±20V4.7 ns20V34A30V30V1.8 V1.1684mm5.2324mm6.2484mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN | 对比 |
![]() | IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 | 对比 |
![]() | IPD105N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET | 对比 |






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