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首页 全部分类 DMT6005LCT vs IRFB7540PBF

DMT6005LCT备选型号: IRFB7540PBF

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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT6005LCT
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    2962pF @ 30V
    47.1nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    TO-220AB
    0.006Ohm
    130A
    60V
    43.5 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB7540PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    5.1m Ω @ 65A, 10V
    3.7V @ 100μA
    4555pF @ 25V
    130nC @ 10V
    60V
    ±20V
    110A
    TO-220AB
    -
    -
    60V
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    6.000006g
    1
    Single
    12 ns
    76ns
    56 ns
    3.7V
    20V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无铅
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