Diodes Incorporated DMT6005LCT

工厂交货时间

20 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 104W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2016

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2962pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47.1nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.006Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

43.5 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant