您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMT6005LSS-13 vs FDS5670

DMT6005LSS-13备选型号: FDS5670

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 配置
  • 电压
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT6005LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    13.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    6m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    2962pF @ 30V
    47.1nC @ 10V
    60V
    ±20V
    13.5A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS5670
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    N-Channel
    14m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    2900pF @ 15V
    70nC @ 10V
    -
    ±20V
    10A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    SILICON
    PowerTrench®
    8
    14MOhm
    60V
    DUAL
    鸥翼
    10A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60V
    10A
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    SWITCHING
    10ns
    23 ns
    2.4V
    20V
    60V
    60V
    2.4 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2 对比
FDS5672 FDS5672 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor FDS5672 对比
FDS5670 FDS5670 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC 对比