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首页 全部分类 DMT6005LSS-13 vs FDS86540

DMT6005LSS-13备选型号: FDS86540

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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT6005LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    13.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    6m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    2962pF @ 30V
    47.1nC @ 10V
    60V
    ±20V
    13.5A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS86540
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS86540 - MOSFET, N-CH, 60V, 8SOIC
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    18A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    N-Channel
    4.5m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    6410pF @ 30V
    90nC @ 10V
    -
    ±20V
    18A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    130mg
    SILICON
    PowerTrench®
    8
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    5W
    28 ns
    SWITCHING
    15ns
    7.1 ns
    3.1V
    20V
    0.0045Ohm
    60V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    无铅
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