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首页 全部分类 DMT6009LFG-7 vs BSZ100N06NSATMA1

DMT6009LFG-7备选型号: BSZ100N06NSATMA1

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  • 供应商器件包装
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT6009LFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 11A
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    11A Ta 34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1925pF @ 30V
    33.5nC @ 10V
    60V
    ±16V
    34A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ100N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    10mOhm @ 20A, 10V
    3.3V @ 14μA
    1075pF @ 30V
    15nC @ 10V
    60V
    ±20V
    40A
    ROHS3 Compliant
    Tin
    PG-TSDSON-8-FL
    OptiMOS™
    150°C
    -55°C
    无卤素
    2ns
    20V
    60V
    1.075nF
    8.5mOhm
    10 mΩ
    含铅
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