Infineon Technologies BSZ100N06NSATMA1
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BSZ100N06NSATMA1
1211-BSZ100N06NSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
--最小包装量--
BSZ100N06NSATMA1详情
Infineon Technologies BSZ100N06NSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TSDSON-8-FL
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
2.1W Ta 36W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.3V @ 14μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1075pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
上升时间
2ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
输入电容
1.075nF
漏源电阻
8.5mOhm
最大rds
10 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BSZ100N06NSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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