DMT6010SCT备选型号: DMTH6010SCT

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 系列
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    98A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    7.2m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    1940pF @ 30V
    36.3nC @ 10V
    60V
    ±20V
    98A
    ROHS3 Compliant
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    7.2m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    1940pF @ 30V
    36.3nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    Automotive, AEC-Q101
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STP100N6F7 STP100N6F7 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB 对比
IRFB7540PBF IRFB7540PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 对比
DMTH6010SCT DMTH6010SCT Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU 对比