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DMT6010SCT备选型号: IRFB7540PBF
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
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- 晶体管元件材料
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- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CHA 60V 98A TO22024 Weeks通孔通孔TO-220-398A Tc-55°C~150°C TJTube2016e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明not_compliant未说明N-Channel7.2m Ω @ 20A, 10V4V @ 250μA1940pF @ 30V36.3nC @ 10V60V±20V98AROHS3 Compliant---------------------
MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-3110A Tc-55°C~175°C TJTube2008--活跃1 (Unlimited)EAR99-未说明-未说明N-Channel5.1m Ω @ 65A, 10V3.7V @ 100μA4555pF @ 25V130nC @ 10V60V±20V110AROHS3 Compliant36.000006gSILICONHEXFET®, StrongIRFET™31Single增强型MOSFET12 nsSWITCHING76ns56 ns3.7VTO-220AB20V60V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP100N6F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB | 对比 |
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB | 对比 |
| DMTH6010SCT | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU | 对比 |
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