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DMT8012LFG-7备选型号: BSZ150N10LS3GATMA1
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- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 阈值电压
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-823 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN872.007789mg9.5A Ta 35A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)1.949nF未说明未说明1Single4.9 nsN-Channel16m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1949pF @ 40V34nC @ 10V3.8ns±20V3.5 ns35A20V80VROHS3 Compliant-------------------
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-818 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99--未说明未说明---N-Channel15m Ω @ 20A, 10V2.1V @ 33μA2500pF @ 50V35nC @ 10V4.6ns±20V-40A20V100VROHS3 CompliantTinSILICONOptiMOS™5DUAL无铅not_compliantS-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素1.7V100V0.02Ohm160A无SVHC含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | 对比 |
 | IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Mosfet Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 0.0128 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes | 对比 |
 | DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | 对比 |
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