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DMT8012LFG-7备选型号: DMT8012LK3-13
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电容量
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-823 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN872.007789mg9.5A Ta 35A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)1.949nF未说明未说明1Single4.9 nsN-Channel16m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1949pF @ 40V34nC @ 10V3.8ns±20V3.5 ns35A20V80VROHS3 Compliant---
MOSFET N-CH 80V 9.5A TO25223 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63--44A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)-未说明未说明---N-Channel17m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1949pF @ 40V34nC @ 10V-±20V-44A--ROHS3 Compliantyesnot_compliant80V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | 对比 |
 | IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Mosfet Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 0.0128 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes | 对比 |
| DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | 对比 |
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