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首页 全部分类 DMTH6009LK3-13 vs DMTH6010SK3-13

DMTH6009LK3-13备选型号: DMTH6010SK3-13

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  • 安装类型
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • Diodes Incorporated
    DMTH6009LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 14.2A
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    14.2A Ta 59A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1925pF @ 30V
    33.5nC @ 10V
    60V
    ±16V
    59A
    14.2A
    0.01Ohm
    90A
    60V
    20.6 mJ
    ROHS3 Compliant
  • Diodes Incorporated
    DMTH6010SK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 16.3A
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    16.3A Ta 70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    1940pF @ 30V
    36.3nC @ 10V
    60V
    ±20V
    70A
    16.3A
    0.008Ohm
    80A
    60V
    27.7 mJ
    ROHS3 Compliant
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