DMTH8012LK3Q-13备选型号: DMNH6021SK3Q-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • Diodes Incorporated
    MOSFET 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A
    23 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    2051pF @ 40V
    46.8nC @ 10V
    80V
    ±20V
    50A
    0.016Ohm
    80A
    80V
    147 mJ
    ROHS3 Compliant
  • Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 60V 50A TO252
    17 Weeks
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1143pF @ 25V
    20.1nC @ 10V
    60V
    ±20V
    50A
    0.028Ohm
    80A
    60V
    64 mJ
    ROHS3 Compliant
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