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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.793825
10
¥16.786623
100
¥15.836443
500
¥14.94004
1000
¥14.094378
ON Semiconductor NVDD5894NLT4G
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- 对比
NVDD5894NLT4G
1807-NVDD5894NLT4G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
大陆
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MOSFET NFET DPAK 40V 64A 10 MOHM
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVDD5894NLT4G详情
ON Semiconductor NVDD5894NLT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 11 hours ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
引脚数
5
质量
329.988449mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A
Turn Off Delay Time
36 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
3.8W
Reach合规守则
not_compliant
接通延迟时间
12.4 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2103pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
上升时间
30.2ns
下降时间(典型值)
54 ns
连续放电电流(ID)
64A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVDD5894NLT4G拓展信息









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