DMTH8012LK3Q-13备选型号: DMTH10H015LK3-13
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- MOSFET 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A23 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装SILICON1-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012015e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA2051pF @ 40V46.8nC @ 10V80V±20V50A0.016Ohm80A80V147 mJROHS3 Compliant-
- MOSFET NCH 100V 52.5A TO25223 WeeksTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD表面贴装表面贴装SILICON52.5A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 20A, 10V3.5V @ 250μA1871pF @ 50V33.3nC @ 10V100V±20V52.5A0.018Ohm50A100V85 mJROHS3 Compliant37.1A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 60V 50A TO252 | 对比 |
| NVDD5894NLT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NFET DPAK 40V 64A 10 MOHM | 对比 | |
![]() | DMNH3010LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 30V 15A TO252 | 对比 |




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