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首页 全部分类 DN2470K4-G vs IPD80R1K4CEATMA1

DN2470K4-G备选型号: IPD80R1K4CEATMA1

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
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  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Microchip Technology
    DN2470K4-G
    Microchip Technology
    Transistor MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin (2 Tab) TO-252
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    170mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    未说明
    未说明
    DN2470
    R-PSSO-G2
    不合格
    1
    Single
    2.5W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    42 Ω @ 100mA, 0V
    540pF @ 25V
    45ns
    ±20V
    60 ns
    170mA
    TO-252AA
    20V
    700V
    0.5A
    耗尽模式
    2.5146mm
    6.73mm
    6.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD80R1K4CEATMA1
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    -
    3.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    Single
    63W
    -
    25 ns
    N-Channel
    -
    1.4Ohm @ 2.3A, 10V
    570pF @ 100V
    15ns
    ±20V
    12 ns
    3.9A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO252-3
    CoolMOS™
    150°C
    -55°C
    3.9V @ 240μA
    23nC @ 10V
    800V
    800V
    570pF
    1.4Ohm
    1.4 Ω
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