注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.560036
10
¥7.132111
100
¥6.728402
500
¥6.34755
1000
¥5.988257
Microchip Technology DN2470K4-G
- 收藏
- 对比
DN2470K4-G
1610-DN2470K4-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

Transistor MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin (2 Tab) TO-252
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DN2470K4-G详情
Microchip Technology DN2470K4-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
170mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
DN2470
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
42 Ω @ 100mA, 0V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 25V
上升时间
45ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
60 ns
连续放电电流(ID)
170mA
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
700V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
0.5A
场效应管特性
耗尽模式
高度
2.5146mm
长度
6.73mm
宽度
6.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DN2470K4-G拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology









哦! 它是空的。