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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.88609
10
¥12.156691
100
¥11.468571
500
¥10.819412
1000
¥10.206993
Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1
- 收藏
- 对比
IPD80R1K4CEATMA1
1211-IPD80R1K4CEATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD80R1K4CEATMA1详情
Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
63W Tc
Turn Off Delay Time
72 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
63W
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 240μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
570pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
800V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
3.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
800V
输入电容
570pF
漏源电阻
1.4Ohm
最大rds
1.4 Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPD80R1K4CEATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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