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首页 全部分类 DRA2L14Y0L vs BC858BT116

DRA2L14Y0L备选型号: BC858BT116

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  • 晶体管类型
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  • 最大击穿电压
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  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
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  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Panasonic Electronic Components
    DRA2L14Y0L
    Panasonic Electronic Components
    Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    30V
    -1.2V
    Tape & Reel (TR)
    2016
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 4.7
    8541.21.00.95
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    DRA2L14
    PNP
    Single
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    -30V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    1.2V @ 330μA, 50mA
    30V
    10 k Ω
    -100mA
    47 k Ω
    1.1mm
    2.9mm
    1.5mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    BC858BT116
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 30V 0.1A SST3
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    30V
    -650mV
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    8541.21.00.75
    350mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    10
    BC85*
    -
    Single
    AMPLIFIER
    PNP
    650mV
    100mA
    210 @ 2mA 5V
    100nA ICBO
    650mV @ 5mA, 100mA
    30V
    -
    -100mA
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Copper, Silver, Tin
    150°C TJ
    e1
    yes
    锡银铜
    -30V
    -100mA
    3
    350mW
    250MHz
    PNP
    250MHz
    -30V
    -5V
    5pF
    无
    无铅
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