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首页 全部分类 DRA2L14Y0L vs BCW30T116

DRA2L14Y0L备选型号: BCW30T116

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  • 晶体管类型
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  • 电阻-发射极基极(R2)
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  • 宽度
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最小直流增益（hFE）
  • VCEsat-最大值
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 无铅
  • Panasonic Electronic Components
    DRA2L14Y0L
    Panasonic Electronic Components
    Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    30V
    -1.2V
    Tape & Reel (TR)
    2016
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 4.7
    8541.21.00.95
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    DRA2L14
    PNP
    Single
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    -30V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    1.2V @ 330μA, 50mA
    30V
    10 k Ω
    -100mA
    47 k Ω
    1.1mm
    2.9mm
    1.5mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    BCW30T116
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 32V 0.1A SST3
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    SILICON
    32V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2016
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    8541.21.00.75
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    BCW30
    -
    Single
    AMPLIFIER
    PNP
    32V
    100mA
    -
    -
    -
    -
    -
    100mA
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Copper, Silver, Tin
    -32V
    -100mA
    R-PDSO-G3
    不合格
    250MHz
    PNP
    250MHz
    210
    0.3 V
    7pF
    无铅
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