DRA5114E0L备选型号: DSA500100L
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- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 极性
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- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 最高频率
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm10 Weeks表面贴装表面贴装SC-858550V-250mVTape & Reel (TR)2009Discontinued1 (Unlimited)3EAR99150°C-55°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1150mWDUALFLATDRA5114R-PDSO-F3PNPSingleSWITCHINGPNP - Pre-Biased-50V100mA35 @ 5mA 10V500nA250mV @ 500μA, 10mA50V10 k Ω-100mA10 k Ω800μm2mm1.25mm无符合RoHS标准------------
- Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm10 Weeks表面贴装表面贴装SC-858550V-500mVTape & Reel (TR)2009Discontinued1 (Unlimited)3EAR99---150mWDUALFLATDSA5001R-PDSO-F3-SingleAMPLIFIERPNP50V100mA210 @ 2mA 10V100μA500mV @ 10mA, 100mA50V--100mA-800μm2mm1.25mm-符合RoHS标准TinSILICON150°C TJe6未说明未说明150MHzNPN150MHz150MHz60V7V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA023EUBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | 对比 | |
![]() | DSA500100L | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SC-85 | Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm | 对比 |
| DTA143ZUAT106 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | 对比 |




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