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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.319723
500
¥0.970379
1000
¥0.808654
2000
¥0.741883
5000
¥0.693345
10000
¥0.644974
15000
¥0.62377
50000
¥0.613338
Panasonic Electronic Components DRA5114E0L
- 收藏
- 对比
DRA5114E0L
1850-DRA5114E0L
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-85
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DRA5114E0L详情
Panasonic Electronic Components DRA5114E0L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-85
引脚数
85
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250mV
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
基本部件号
DRA5114
JESD-30代码
R-PDSO-F3
极性
PNP
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
-50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
35 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 500μA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
10 k Ω
连续集电极电流
-100mA
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
高度
800μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
DRA5114E0L拓展信息
Panasonic Electronic Components
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