DRA5L14Y0L备选型号: FFB2227A
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 额定电流
- 频率
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最大结点温度(Tj)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm10 Weeks表面贴装表面贴装SC-8585SILICON30V-1.2VTape & Reel (TR)2016Obsolete1 (Unlimited)3EAR99150°C150mWDUALFLAT未说明unknown未说明DRA5L14R-PDSO-F3PNPSingleSWITCHINGPNP - Pre-Biased-30V100mA80 @ 5mA 10V500nA1.2V @ 330μA, 50mA30V10 k Ω-100mA47 k Ω800μm2mm1.25mm符合RoHS标准-----------------
- TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SC70-67 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON30V400mVTape & Reel (TR)2000活跃1 (Unlimited)6EAR99-300mW-鸥翼---FFB2227A-NPN, PNPDualSWITCHINGNPN, PNP30V500mA30 @ 300mA 10V30nA ICBO1.4V @ 30mA, 300mA30V---1.1mm2mm1.25mmROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)28mg-55°C~150°C TJe3yesTin (Sn)500mA250MHz300mW250MHz250MHz60V5V150°C无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA143EUAT106 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | 对比 | |
![]() | FFB2227A | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SC70-6 | 对比 |
| DTA143ZUAT106 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | 对比 |




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