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DS1230AB-200IND备选型号: BQ4013YMA-85

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 工作电源电流
  • 电源电流
  • 操作模式
  • 字长
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • Maxim Integrated
    DS1230AB-200IND
    Maxim Integrated
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
    通孔
    28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
    NO
    28
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2002
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8542.32.00.41
    4.75V~5.25V
    DUAL
    1
    5V
    2.54mm
    200GHz
    DS1230AB
    28
    5V
    5V
    256Kb 32K x 8
    NVSRAM
    Parallel
    8b
    32KX8
    8
    200ns
    256 kb
    0.005A
    200 ns
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    BQ4013YMA-85
    Texas Instruments
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
    通孔
    32-DIP Module (0.61, 15.49mm)
    -
    32
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    32
    EAR99
    -
    -
    4.5V~5.5V
    DUAL
    1
    5V
    2.54mm
    85GHz
    BQ4013
    -
    5V
    5V
    1Mb 128K x 8
    NVSRAM
    Parallel
    8b
    128KX8
    8
    85ns
    1 Mb
    0.004A
    85 ns
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    通孔
    no
    未说明
    unknown
    未说明
    不合格
    50mA
    50mA
    ASYNCHRONOUS
    8b
    42.8mm
    9.53mm
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