Maxim Integrated DS1230AB-200IND
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DS1230AB-200IND
1551-DS1230AB-200IND
存储器
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
1最小包装量--
DS1230AB-200IND详情
Maxim Integrated DS1230AB-200IND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
表面安装
NO
引脚数
28
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
2002
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
28
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
4.75V~5.25V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
频率
200GHz
基本部件号
DS1230AB
引脚数量
28
工作电源电压
5V
电源
5V
内存大小
256Kb 32K x 8
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
32KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
200ns
密度
256 kb
待机电流-最大值
0.005A
访问时间(最大)
200 ns
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
DS1230AB-200IND拓展信息
Maxim Integrated
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