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首页 全部分类 DS1249W-100IND vs BQ4013YMA-85

DS1249W-100IND备选型号: BQ4013YMA-85

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  • 表面安装
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 包装
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 记忆密度
  • 访问时间（最大）
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • Current - Supply (Nom)
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 频率
  • 电源
  • 工作电源电流
  • 数据总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 字长
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • Maxim Integrated
    DS1249W-100IND
    Maxim Integrated
    IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP
    NO
    32-DIP Module (0.600, 15.24mm)
    通孔
    32
    Non-Volatile
    Tube
    -40°C~85°C TA
    2010
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    32
    3A991.B.2.A
    锡铅
    10 YEAR DATA RETENTION
    8473.30.11.40
    3V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    未说明
    DS1249W
    R-XDMA-P32
    不合格
    2Mb 256K x 8
    ASYNCHRONOUS
    NVSRAM
    Parallel
    256KX8
    8
    100ns
    2097152 bit
    100 ns
    3.6V
    3V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    BQ4013YMA-85
    Texas Instruments
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
    -
    32-DIP Module (0.61, 15.49mm)
    通孔
    32
    Non-Volatile
    Tube
    0°C~70°C TA
    -
    -
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    32
    EAR99
    -
    -
    -
    5V
    DUAL
    未说明
    1
    未说明
    BQ4013
    -
    不合格
    1Mb 128K x 8
    ASYNCHRONOUS
    NVSRAM
    Parallel
    128KX8
    8
    85ns
    -
    85 ns
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    通孔
    50mA
    2.54mm
    unknown
    85GHz
    5V
    50mA
    8b
    1 Mb
    0.004A
    8b
    42.8mm
    9.53mm
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