DS1249W-100IND备选型号: CAT28LV64LI20
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 引脚数
- 端子间距
- Reach合规守则
- 工作电源电压
- 电源电流
- 访问时间
- 密度
- 待机电流-最大值
- 编程电压
- 耐力
- 写入周期时间 - 最大值
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 页面尺寸
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP通孔32-DIP Module (0.600, 15.24mm)NONon-Volatile-40°C~85°C TATube2010e0noObsolete1 (Unlimited)323A991.B.2.A锡铅10 YEAR DATA RETENTION8473.30.11.403V~3.6VDUAL未说明13.3V未说明DS1249W32R-XDMA-P32不合格3.6V3V2Mb 256K x 8ASYNCHRONOUSNVSRAMParallel256KX88100ns2097152 bit100 nsNon-RoHS Compliant含铅-------------------
- IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP通孔28-DIP (0.600, 15.24mm)-Non-Volatile-40°C~85°C TATube2009e3-Obsolete1 (Unlimited)28EAR99Tin (Sn)-8542.32.00.513V~3.6VDUAL26013.3V未说明CAT28LV6428-不合格3.6V3V64Kb 8K x 8ASYNCHRONOUSEEPROMParallel8KX885ms--符合RoHS标准无铅通孔282.54mmunknown3.3V8mA200ns64 kb0.0001A3V100000 Write/Erase Cycles5msYESYESNO32words37.4mm6.35mm15.24mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CAT28LV64LI20 | ON Semiconductor | 存储器 | 28-DIP (0.600, 15.24mm) | IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP | 对比 |
![]() | AT27C080-90PU | Microchip Technology | 存储器 | 32-DIP (0.600, 15.24mm) | ATMEL AT27C080-90PU OTP PROM, 8M, 5V, 27C080, PDIP32 | 对比 |
![]() | BQ4013YMA-85 | Texas Instruments | 存储器 | 32-DIP Module (0.61, 15.49mm) | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP | 对比 |






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